Главная страница Продукция Силиконовый карбид SBD

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Name: Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Все продукты

Инвертор IGBT
(37)

IGBT высокой мощности
(38)

MOSFET наивысшей мощности
(48)

Сверхсоединение MOSFET
(48)

МОП-транзистор низкого напряжения
(81)

Высоковольтный MOSFET
(54)

Диоды барьера Schottky
(80)

Диоды быстрого восстановления
(49)

Низкий VF Schottky
(65)

Полупроводники высокой мощности
(28)

МОП-транзистор из карбида кремния
(21)

Силиконовый карбид SBD
(21)

Сертификация

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты

Просмотрения клиента

Отличный продукт, как и описано, быстрая доставка и отличное обслуживание.

—— Минифукс1

очень быстрая доставка, хорошо упакована и эти кабели определенно высокого качества! не покупал нигде больше и продолжу получать мои кабели от этого продавца! AAA+++

—— Махди

Отличный сервис, как обычно, покупал у этого продавца несколько раз.

—— София.

Оставьте нам сообщение

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Большие изображения : Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	LX
Сертификация:	Rohs,Reach,SGS,ISO9001,ISO14001,IATF16949
Документ:	About Lingxun(1).pdf

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	Спросите.
Цена:	Inquire
Упаковывая детали:	Tube+Carton
Время доставки:	2-30 дней ((зависит от количества заказа)
Условия оплаты:	T/T заранее ((EXW)
Поставка способности:	600KK/год

контакт

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

описание

Тип прибора:

Сико-Шотткийский барьерный диод

Переключая скорость:

Высокоскоростное переключение

Заявления:

SMPS, солнечный инвертор, дата-центр, УПС

Преимущества:

Требования к низкой теплоотдаче

Выделить:

Центр обработки данных Кремниевого карбида SBD

Силиконовый карбид SBD высокого разрывного напряжения

SIC SBD центра обработки данных

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Особенности

·Незначительное обратное возмещение

·Высокий приток

·Положительный температурный коэффициент

·Более часто

·Без галогена / соответствует требованиям RoHS

Применение

·МРПП

·Солнечный инвертор

·Данный центр

·УПС

Преимущества

·Высокоскоростное переключение

·Низкие требования к рассеиванию тепла

·Уменьшить размер и стоимость системы

·Высокая надежность

тег:

SIC SBD,

Диоды-барьеры SIC Schottky,

Силиконовый карбид SBD

Контактная информация

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Контактное лицо: Mrs. Qinqin

Телефон: +8618988720515

Факс: 86-189-8872-0515

Другие продукты

Высокая надежность Кремниевого карбида SBD для водителя промышленного двигателя

Сила: Высокая власть

Термостойкость: Устойчивость к высоким температурам

Высокий свет: Высокая теплопроводность и высокая температурная устойчивость диодов карбида кремния делают их более

Материал: Силиконовый карбид

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Частота: Высокая частота

Сила: Высокая власть

Эффективность: Высокая эффективность

Материал: Силиконовый карбид

Электроника Кремниевой карбид SBD Дискретное устройство питания для цепи питания

Тип прибора: Приборы силы дискретные

Материал: Силиконовый карбид

Сила: Высокая власть

Высокий свет: Диоды карбида кремния могут использоваться для ректификации, защиты и переключения в схемах питания,

Силиконовый карбид SIC Schottky Барьерные диоды TO-247AC для солнечного инвертора

Сила: Высокая власть

Высокий свет: Диоды карбида кремния используются в солнечных фотоэлектрических системах для преобразования и управ

Материал: Силиконовый карбид

Частота: Высокая частота

Силиконовый карбид SBD с низкими потерями для питания ПК светодиодного освещения

Тип прибора: Приборы силы дискретные

Высокий свет: Применение диодов карбида кремния в серверном источнике питания и источнике питания ПК помогает повы

Сила: Высокая власть

Эффективность: Высокая эффективность

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Инвертор IGBT

IGBT высокой мощности

MOSFET наивысшей мощности

Сверхсоединение MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

Высоковольтный MOSFET

Диоды барьера Schottky

Диоды быстрого восстановления

Низкий VF Schottky

Полупроводники высокой мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Силиконовый карбид SBD

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Центр обработки данных Кремниевого карбида SBD

Силиконовый карбид SBD высокого разрывного напряжения

SIC SBD центра обработки данных

SIC SBD,

Диоды-барьеры SIC Schottky,

Силиконовый карбид SBD

Высокая надежность Кремниевого карбида SBD для водителя промышленного двигателя

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Электроника Кремниевой карбид SBD Дискретное устройство питания для цепи питания

Силиконовый карбид SIC Schottky Барьерные диоды TO-247AC для солнечного инвертора

Силиконовый карбид SBD с низкими потерями для питания ПК светодиодного освещения

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC