Полупроводники высокой мощности

Китай Полупроводники высокой мощности

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET высокой мощности для переключения заряда

Идентификация:11A

VDSS:650 В

RDSON-тип VGS=10В:340 мΩ
Высоковольтный полупроводник высокой мощности типа N с низкой утечкой

Устойчивость к температуре:Устойчивость к высоким температурам

Тип:N

Высокий свет:Полупроводники высокого напряжения характеризуются своей способностью эффективно обрабатывать высоко
TO-220F Транзисторы с эффектом поля полупроводников оксида металла 15A 600V 274mΩ

Идентификация:15А

VDSS:600 В

RDSON-тип VGS=10В:274 мΩ
Полупроводники высокой мощности с низким переключением 15A 650V 238mΩ для преобразователей постоянного тока

Идентификация:15А

Напряжение тока Сток-источника:650 В

RDSON-тип VGS=10В:238 мΩ
20A 650V 150mΩ Холодный MOS для источников питания с переключенным режимом

Идентификация:20А

Напряжение тока Сток-источника:650 В

RDSON-тип VGS=10В:150mΩ
19А 600В 160мΩ Полупроводник высокой мощности для промышленных источников питания

Идентификация:19A

Напряжение тока Сток-источника:600 В

RDSON-тип VGS=10В:160 мΩ
N-канальный высоковольтный полупроводник с низкой пропускной способностью

Тип:N

Устойчивость к температуре:Устойчивость к высоким температурам

Емкость соединения:Низкая пропускная способность развязки
TO-252 Поверхностная установка Полупроводник высокой мощности 5А 500В 1.33Ω Для сушилки волос

Идентификация:5А

Напряжение тока Сток-источника:500 В

RDSON-тип VGS=10В:1.33Ω
Транзистор высокого напряжения типа N TO-220F с низкой емкостью соединения

Устойчивость к температуре:Устойчивость к высоким температурам

Емкость соединения:Низкая пропускная способность развязки

Высокий свет:Полупроводники высокого напряжения характеризуются своей способностью эффективно обрабатывать высоко
N-канальный высокомощный полупроводник TO-220F с высокой температурной стойкостью

Эффективность:Высокая эффективность

Емкость соединения:Низкая пропускная способность развязки

Высокий свет:Полупроводники высокого напряжения характеризуются своей способностью эффективно обрабатывать высоко
Высокая мощность низкая утечка N канал IGBT высокотемпературный устойчивый

Напряжение:Высокое напряжение

Высокий свет:Полупроводники высокого напряжения характеризуются своей способностью эффективно обрабатывать высоко

Утечка:Низкая утечка
TO-247 N канал высокомощный полупроводник для зарядки

Эффективность:Высокая эффективность

Емкость соединения:Низкая пропускная способность развязки

Устойчивость к температуре:Устойчивость к высоким температурам

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Обзор категории：

Полупроводники высокой мощности

Китай Полупроводники высокой мощности

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET высокой мощности для переключения заряда

Высоковольтный полупроводник высокой мощности типа N с низкой утечкой

TO-220F Транзисторы с эффектом поля полупроводников оксида металла 15A 600V 274mΩ

Полупроводники высокой мощности с низким переключением 15A 650V 238mΩ для преобразователей постоянного тока

20A 650V 150mΩ Холодный MOS для источников питания с переключенным режимом

19А 600В 160мΩ Полупроводник высокой мощности для промышленных источников питания

N-канальный высоковольтный полупроводник с низкой пропускной способностью

TO-252 Поверхностная установка Полупроводник высокой мощности 5А 500В 1.33Ω Для сушилки волос

Транзистор высокого напряжения типа N TO-220F с низкой емкостью соединения

N-канальный высокомощный полупроводник TO-220F с высокой температурной стойкостью

Высокая мощность низкая утечка N канал IGBT высокотемпературный устойчивый

TO-247 N канал высокомощный полупроводник для зарядки

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC