Russian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Отправить запрос |

Главная страница Продукция Полупроводники высокой мощности

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Все продукты

Инвертор IGBT
(37)

IGBT высокой мощности
(38)

MOSFET наивысшей мощности
(38)

Сверхсоединение MOSFET
(48)

МОП-транзистор низкого напряжения
(81)

Высоковольтный MOSFET
(54)

Диоды барьера Schottky
(80)

Диоды быстрого восстановления
(49)

Низкий VF Schottky
(65)

Полупроводники высокой мощности
(28)

МОП-транзистор из карбида кремния
(21)

Силиконовый карбид SBD
(21)

Сертификация

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты

Просмотрения клиента

Отличный продукт, как и описано, быстрая доставка и отличное обслуживание.

—— Минифукс1

очень быстрая доставка, хорошо упакована и эти кабели определенно высокого качества! не покупал нигде больше и продолжу получать мои кабели от этого продавца! AAA+++

—— Махди

Отличный сервис, как обычно, покупал у этого продавца несколько раз.

—— София.

Оставьте нам сообщение

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Большие изображения : Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Lingxun
Сертификация:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Документ:	About Lingxun(1).pdf

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	Согласно вашему заказу
Цена:	According to your order requirement
Упаковывая детали:	Tube+Carton
Время доставки:	Согласно вашему заказу
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	600KK/год

контакт

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

описание

Напряжение:	Высокое напряжение	преимущества:	Устойчивый процесс и надежное качество
Емкость соединения:	Низкая пропускная способность развязки	Эффективность:	Высокая эффективность
Особенности:	Низкий RDS ((on) на область чипа ((Low FOM)	Заявления:	Солнечные инверторы, питание от переменного тока до постоянного
Выделить:	Высокомощный полупроводник N канал , Канал N высокой мощности , N-канал высокомощный полупроводник

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Особенности

• Низкая стоимость

• Низкий RDS ((on) на область чипа ((Low FOM)

• Очень низкая потеря переключения и проводимости

• чрезвычайно высокая прочность коммутации

Применение

• Солнечные инверторы

• LCD/LED/PDP ТВ

• Электрические источники связи/сервера

• Электрическое питание переменного тока

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал 0

тег:

Полупроводники высокого напряжения,

MOSFET наивысшей мощности,

IGBT высокой мощности

Контактная информация

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Контактное лицо: Mrs. Qinqin

Телефон: +8618988720515

Факс: 86-189-8872-0515

Другие продукты

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET высокой мощности для переключения заряда

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET высокой мощности для переключения заряда

Идентификация: 11A

VDSS: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 340 мΩ

Температурная амплитуда рабочей температуры (Tj): -50°C к +150°C

Высоковольтный полупроводник высокой мощности типа N с низкой утечкой

Высоковольтный полупроводник высокой мощности типа N с низкой утечкой

Устойчивость к температуре: Устойчивость к высоким температурам

Тип: N

Высокий свет: Полупроводники высокого напряжения характеризуются своей способностью эффективно обрабатывать высоко

Емкость соединения: Низкая пропускная способность развязки

TO-220F Транзисторы с эффектом поля полупроводников оксида металла 15A 600V 274mΩ

TO-220F Транзисторы с эффектом поля полупроводников оксида металла 15A 600V 274mΩ

Идентификация: 15А

VDSS: 600 В

RDSON-тип VGS=10В: 274 мΩ

Заявления: Солнечные инверторы,ЛКД/LED/PDP ТВ,телекоммуникации/серверные источники питания

Полупроводники высокой мощности с низким переключением 15A 650V 238mΩ для преобразователей постоянного тока

Полупроводники высокой мощности с низким переключением 15A 650V 238mΩ для преобразователей постоянного тока

Идентификация: 15А

Напряжение тока Сток-источника: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 238 мΩ

Заявления: Солнечные инверторы,ЛКД/LED/PDP ТВ,телекоммуникации/серверные источники питания

20A 650V 150mΩ Холодный MOS для источников питания с переключенным режимом

20A 650V 150mΩ Холодный MOS для источников питания с переключенным режимом

Идентификация: 20А

Напряжение тока Сток-источника: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 150mΩ

Заявления: Топологии мягкого переключения, телекоммуникации и электроснабжение

около

Силиконовый карбид SBD: Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи; Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных; Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT: 15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя; Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал; Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество Инвертор IGBT поставщик. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr