Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияПолупроводники высокой мощности

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Все продукты

Инвертор IGBT

(47)

IGBT высокой мощности

(48)

MOSFET наивысшей мощности

(48)

Сверхсоединение MOSFET

(48)

МОП-транзистор низкого напряжения

(81)

Высоковольтный MOSFET

(54)

Диоды барьера Schottky

(80)

Диоды быстрого восстановления

(49)

Низкий VF Schottky

(65)

Полупроводники высокой мощности

(28)

МОП-транзистор из карбида кремния

(21)

Силиконовый карбид SBD

(21)
Сертификация
Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты
Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты
Просмотрения клиента
Отличный продукт, как и описано, быстрая доставка и отличное обслуживание.

—— Минифукс1

очень быстрая доставка, хорошо упакована и эти кабели определенно высокого качества! не покупал нигде больше и продолжу получать мои кабели от этого продавца! AAA+++

—— Махди

Отличный сервис, как обычно, покупал у этого продавца несколько раз.

—— София.

Оставьте нам сообщение

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал
Multi-occasion application High Power Semiconductor N Channel
Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Большие изображения :  Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Lingxun
Сертификация: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Документ: About Lingxun(1).pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Согласно вашему заказу
Цена: According to your order requirement
Упаковывая детали: Tube+Carton
Время доставки: Согласно вашему заказу
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 600KK/год
контакт

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

описание
Напряжение: Высокое напряжение преимущества: Устойчивый процесс и надежное качество
Емкость соединения: Низкая пропускная способность развязки Эффективность: Высокая эффективность
Особенности: Низкий RDS ((on) на область чипа ((Low FOM) Заявления: Солнечные инверторы, питание от переменного тока до постоянного
Выделить:

Высокомощный полупроводник N канал

,

Канал N высокой мощности

,

N-канал высокомощный полупроводник

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

 

Особенности
• Низкая стоимость
• Низкий RDS ((on) на область чипа ((Low FOM)
• Очень низкая потеря переключения и проводимости
• чрезвычайно высокая прочность коммутации

 

Применение
• Солнечные инверторы
• LCD/LED/PDP ТВ
• Электрические источники связи/сервера
• Электрическое питание переменного тока
 
 
 
 
 
Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал 0
 

тег:

Полупроводники высокого напряжения,

MOSFET наивысшей мощности,

IGBT высокой мощности

Контактная информация
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Контактное лицо: Mrs. Qinqin

Телефон: +8618988720515

Факс: 86-189-8872-0515

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET высокой мощности для переключения заряда

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET высокой мощности для переключения заряда

Идентификация: 11A

VDSS: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 340 мΩ

Температурная амплитуда рабочей температуры (Tj): -50°C к +150°C
Высоковольтный полупроводник высокой мощности типа N с низкой утечкой

Высоковольтный полупроводник высокой мощности типа N с низкой утечкой

Устойчивость к температуре: Устойчивость к высоким температурам

Тип: N

Высокий свет: Полупроводники высокого напряжения характеризуются своей способностью эффективно обрабатывать высоко

Емкость соединения: Низкая пропускная способность развязки
TO-220F Транзисторы с эффектом поля полупроводников оксида металла 15A 600V 274mΩ

TO-220F Транзисторы с эффектом поля полупроводников оксида металла 15A 600V 274mΩ

Идентификация: 15А

VDSS: 600 В

RDSON-тип VGS=10В: 274 мΩ

Заявления: Солнечные инверторы,ЛКД/LED/PDP ТВ,телекоммуникации/серверные источники питания
Полупроводники высокой мощности с низким переключением 15A 650V 238mΩ для преобразователей постоянного тока

Полупроводники высокой мощности с низким переключением 15A 650V 238mΩ для преобразователей постоянного тока

Идентификация: 15А

Напряжение тока Сток-источника: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 238 мΩ

Заявления: Солнечные инверторы,ЛКД/LED/PDP ТВ,телекоммуникации/серверные источники питания
20A 650V 150mΩ Холодный MOS для источников питания с переключенным режимом

20A 650V 150mΩ Холодный MOS для источников питания с переключенным режимом

Идентификация: 20А

Напряжение тока Сток-источника: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 150mΩ

Заявления: Топологии мягкого переключения, телекоммуникации и электроснабжение
около

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество Инвертор IGBT поставщик. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr