Главная страница Продукция MOSFET наивысшей мощности

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Name: Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
SKU: CS11N40A
Availability: InStock

Все продукты

Инвертор IGBT
(37)

IGBT высокой мощности
(38)

MOSFET наивысшей мощности
(38)

Сверхсоединение MOSFET
(48)

МОП-транзистор низкого напряжения
(81)

Высоковольтный MOSFET
(54)

Диоды барьера Schottky
(80)

Диоды быстрого восстановления
(49)

Низкий VF Schottky
(65)

Полупроводники высокой мощности
(28)

МОП-транзистор из карбида кремния
(21)

Силиконовый карбид SBD
(21)

Самые лучшие продукты

Промышленный высокопроизводительный МОСФЕТ Теплоотделение Оксид металла МОСФЕТ

500В N канал высокомощный MOSFET многоцелевой полупроводник оксида металла

Высокоскоростной 600В мощности MOSFET для управляющих и мостовых цепей

Сертификация

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты

Просмотрения клиента

Отличный продукт, как и описано, быстрая доставка и отличное обслуживание.

—— Минифукс1

очень быстрая доставка, хорошо упакована и эти кабели определенно высокого качества! не покупал нигде больше и продолжу получать мои кабели от этого продавца! AAA+++

—— Махди

Отличный сервис, как обычно, покупал у этого продавца несколько раз.

—— София.

Оставьте нам сообщение

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Большие изображения : Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Lingxun
Сертификация:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Номер модели:	CS11N40A
Документ:	About Lingxun(1).pdf

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	Согласно вашему заказу
Цена:	According to your order requirement
Упаковывая детали:	Подтвердить упаковку на основании номера части
Время доставки:	Согласно вашему заказу
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	600KK/год

контакт

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

описание

Сопротивление:	Низкое сопротивление	Диапазон рабочей температуры:	-55°C к +150°C
Категория:	MOSFET	Сила:	Высокая власть
Тип упаковки:	TO-220AB	МПН:	CS11N40A1
Тип Rdson:	0.50Ω	Идентификация:	11A
VDSS:	400 В
Выделить:	Мод усиления мощности MOSFET 11A , Мод усиления мощности MOSFET 400V , Адаптер N-канала MOSFET

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Основные характеристики

ID:11A

VDSS: 400 В

RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω

СТРАНИЦЫ

Быстрое переключение

Низкое сопротивление

Низкая зарядка шлюза

100% испытание энергии лавины с однократным плюсом

СТРАНИЦЫ

• Быстрое переключение

• Низкое сопротивление

• Низкая плата за вход

• 100% одноимпульсное испытание энергии лавины

Применение

Схема переключателя питания адаптера и заряда.

Механические данные

• Чехол: формованный пластик

• Место установки: любое

• Формованный пластик: UL 94V-0

• Без свинца в соответствии с директивой ЕС RoHS 2011/65/EU

• Температура ванны сварки 275°C максимум, 10 с на JESD 22-B106

тег:

Сверхсоединение MOSFET,

MOSFET канала n,

Классный MOS

Контактная информация

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Контактное лицо: Mrs. Qinqin

Телефон: +8618988720515

Факс: 86-189-8872-0515

Другие продукты

Мосфет высокой мощности типа N для промышленного применения

Тип прибора: MOSFET

Тип: N

Напряжение тока Ворот-источника (VGS): ±30V

Материал: Кремний

5A 650V 780mΩ N Канал сверхсоединения MOSFET TO-252 На поверхности

Идентификация: 5А

VDSS: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 780 мΩ

Особенности: Низкий RDS ((ON) & FOM,Очень низкая потеря переключения,отличная стабильность и однородность

Высокопроизводительные MOSFET Силиконовые силовые транзисторы

Тип: N

Страна происхождения: Китай, совершенно новый, неиспользованный

Тип прибора: MOSFET

Сопротивление: Низкое сопротивление

7A 650V 525mΩ TO-220F Cool MOS для бесперебойного питания

Идентификация: 7А

VDSS: 650 В

RDSON-тип VGS=10В: 520 мΩ

Заявления: Переменный режим питания ((SMPS), непрерывное питание ((UPS), коррекция фактора питания ((PFC)

Многоцелевой высокомощный MOSFET TO-247 для бесперебойного питания

Тип упаковки: TO-247

Тип прибора: MOSFET

Сила: Высокая власть

Технологии: Планировщик

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Инвертор IGBT

IGBT высокой мощности

MOSFET наивысшей мощности

Сверхсоединение MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

Высоковольтный MOSFET

Диоды барьера Schottky

Диоды быстрого восстановления

Низкий VF Schottky

Полупроводники высокой мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Силиконовый карбид SBD

Промышленный высокопроизводительный МОСФЕТ Теплоотделение Оксид металла МОСФЕТ

500В N канал высокомощный MOSFET многоцелевой полупроводник оксида металла

Высокоскоростной 600В мощности MOSFET для управляющих и мостовых цепей

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Н-канальный режим усиления мощности MOSFET 11A 400V для адаптера и зарядки

Мод усиления мощности MOSFET 11A

Мод усиления мощности MOSFET 400V

Адаптер N-канала MOSFET

Сверхсоединение MOSFET,

MOSFET канала n,

Классный MOS

Мосфет высокой мощности типа N для промышленного применения

5A 650V 780mΩ N Канал сверхсоединения MOSFET TO-252 На поверхности

Высокопроизводительные MOSFET Силиконовые силовые транзисторы

7A 650V 525mΩ TO-220F Cool MOS для бесперебойного питания

Многоцелевой высокомощный MOSFET TO-247 для бесперебойного питания

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC