Главная страница

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Карта сайта

Все продукты

Инвертор IGBT
(37)

IGBT высокой мощности
(38)

MOSFET наивысшей мощности
(48)

Сверхсоединение MOSFET
(48)

МОП-транзистор низкого напряжения
(81)

Высоковольтный MOSFET
(54)

Диоды барьера Schottky
(80)

Диоды быстрого восстановления
(49)

Низкий VF Schottky
(65)

Полупроводники высокой мощности
(28)

МОП-транзистор из карбида кремния
(21)

Силиконовый карбид SBD
(21)

Сертификация

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Сертификаты

Просмотрения клиента

Отличный продукт, как и описано, быстрая доставка и отличное обслуживание.

—— Минифукс1

очень быстрая доставка, хорошо упакована и эти кабели определенно высокого качества! не покупал нигде больше и продолжу получать мои кабели от этого продавца! AAA+++

—— Махди

Отличный сервис, как обычно, покупал у этого продавца несколько раз.

—— София.

Оставьте нам сообщение

компания

Карта сайта:

Продукция

МОП-транзистор низкого напряжения

Диоды барьера Schottky

Низкий VF Schottky

Page 16 of 21|< << 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 >> >|

Контактная информация

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Контактное лицо: Mrs. Qinqin

Телефон: +8618988720515

Факс: 86-189-8872-0515

Китай Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Карта сайта

Инвертор IGBT

IGBT высокой мощности

MOSFET наивысшей мощности

Сверхсоединение MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

Высоковольтный MOSFET

Диоды барьера Schottky

Диоды быстрого восстановления

Низкий VF Schottky

Полупроводники высокой мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Силиконовый карбид SBD

МОП-транзистор низкого напряжения

Диоды барьера Schottky

Низкий VF Schottky

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC