Китай MOSFET наивысшей мощности

• 

  Высокочастотный переключатель высокой мощности MOSFET для промышленной автоматизации

  Заявления:Умные бытовые приборы, электрическая схема, новая энергия

  Преимущества:Высокий номинальный ток, низкий заряд шлюза, низкий RDS ((on), низкая обратная передача емкости

  Тип упаковки:TO-247,TO-220F

  Контакт
• 

  Многосцена промышленная высокопроизводительная MOSFET освещение стабильное быстрое переключение

  Тип:N

  Напряжение тока Ворот-источника (VGS):±30V

  Сила:Высокая власть

  Контакт
• 

  Мод усиления 900В высокомощный MOSFET для источников питания

  Количество мин заказа:Согласно вашему заказу

  Цена:According to your order requirement

  Упаковывая детали:Трубка

  Контакт
• 

  Низкий Ciss MOSFET высокой мощности идеально подходит для коррекции фактора мощности

  Количество мин заказа:Согласно вашему заказу

  Цена:According to your order requirement

  Упаковывая детали:ГБ+Мастер-картон

  Контакт
• 

  Низкая обратная передача мощности высокой мощности Мосфет для адаптера питания

  Тип:N

  Сила:Высокая власть

  Напряжение тока Ворот-источника (VGS):±30V

  Контакт
• 

  Быстрый переключатель высокой мощности MOSFET N канал стабильный для водителя двигателя

  Наименование продукта:MOSFET наивысшей мощности

  Частота:Высокая частота

  Сила:Высокая власть

  Контакт
• 

  5А 500В 1.33Ω Мосфет высокой мощности с быстрым переключением

  Идентификация:5А

  Напряжение тока Сток-источника:500 В

  RDSON-тип VGS=10В:1.33Ω

  Контакт
• 

  3А 500В 2.85Ω N-канальный высокомощный MOSFET для сушилки волос и адаптера

  Идентификация:3А

  Напряжение тока Сток-источника:500 В

  RDSON-тип VGS=10В:2.85Ω

  Контакт
• 

  Ультранизкий Qgd высокомощный MOSFET TO-252 15A 650V 230mΩ для питания переменным током

  Идентификация:7А

  Напряжение тока Сток-источника:650 В

  RDSON-тип VGS=10В:230mΩ

  Контакт
• 

  Низкое сопротивление высокой мощности MOSFET 15A 600V 238mΩ для светодиодных драйверов

  Идентификация:15А

  Напряжение тока Сток-источника:650 В

  RDSON-тип VGS=10В:238 мΩ

  Контакт
• 

  N-канал MOSFET высокой мощности 7A 600V 530mΩ для солнечных инверторов

  Идентификация:7А

  VDSS:600 В

  RDSON-тип VGS=10В:530 мΩ

  Контакт
• 

  Устойчивый дизайн высокомощный MOSFET 30V для бесперебойного питания

  Производитель:LX

  Напряжение тока Ворот-источника (VGS):±30V

  Страна происхождения:Китай, совершенно новый, неиспользованный

  Контакт