Тип прибора:Приборы силы дискретные
Высокий свет:Диоды SiC могут выдерживать гораздо более высокие напряжения, прежде чем они разрушатся, что делает
Термостойкость:Устойчивость к высоким температурам
Тип прибора:Приборы силы дискретные
Эффективность:Высокая эффективность
Материал:Силиконовый карбид
Сила:Высокая власть
Тип прибора:Приборы силы дискретные
Частота:Высокая частота
Материал:Силиконовый карбид
Высокий свет:Диоды Шоттки из карбида кремния и MOSFET из карбида кремния играют жизненно важную роль в кондициони
Частота:Высокая частота
Тип прибора:Сико-Шотткийский барьерный диод
Переключая скорость:Высокоскоростное переключение
Заявления:SMPS, солнечный инвертор, дата-центр, УПС
Эффективность:Высокая эффективность
Высокий свет:Силициевые карбидные диоды более устойчивы в условиях высокой температуры и способны работать при те
Сила:Высокая власть
Термостойкость:Устойчивость к высоким температурам
Высокий свет:Силиконовые карбидные диоды выделяются высоким разрывным напряжением, низким обратным восстановитель
Тип прибора:Приборы силы дискретные
Высокий свет:Материал карбида кремния имеет более широкий диапазон (3,26 eV) чем материал кремния, что делает дио
Материал:Силиконовый карбид
Тип прибора:Приборы силы дискретные
Сила:Высокая власть
Высокий свет:Материал из карбида кремния является одним из материалов субстрата ранних светодиодных светодиодов,
Тип прибора:Приборы силы дискретные