Китай Сверхсоединение MOSFET

• 

  Дискретное питание устройств с низким уровнем сопротивления SJ MOS для освещения

  Применение:SMPS,UPS,PFC,солнечные инверторы,энергоснабжение, высокопроизводительное зарядное устройство / адапт

  Наименование продукта:Сверхсоединение Мосфет, Cool Mos, SJ MOS

  Производитель:Лингсунь

  Контакт
• 

  100% ледовое тестирование суперсоединения MOSFET для электроснабжения телекоммуникационных серверов

  Производитель:Лингсунь

  Тип:N

  Применение:Электронный балласт, светодиодный источник питания, телевизор, высокопроизводительное зарядное устро

  Контакт
• 

  Быстро переключающийся суперсоединение MOSFET Cool Mos для зарядки свай

  Производитель:Лингсунь

  Тип:N

  Применение:Зарядная куча, фотоэлектрическая система, инвертор, электроинструменты, управление батареями и т.д.

  Контакт
• 

  Дискретное устройство питания MOSFET для светодиодного драйвера

  Высокий свет:Ультра низкое сопротивление, быстрое переключение, улучшенная способность DVD/dt

  Применение:Солнечные инверторы, питание от переменного тока до постоянного тока, питание от светодиодов, возобн

  Сила:Высокая власть

  Контакт
• 

  Многоцелевой суперсоединительный MOSFET прочный промышленных холодильников MOS для PFC

  Применение:Электроснабжение переключателя (SMPS), бесперебойное электроснабжение (UPS), коррекция фактора питан

  Переход:Высокочастотный переключатель

  Высокий свет:100% Avalanche Tested,Способность к быстрому переключению

  Контакт
• 

  Н-тип сверхсоединения MOSFET силовой транзистор анти-EMI для SMPS

  Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

  Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии

  Тип:N

  Контакт
• 

  Си-суперсоединение Мосфета с диодом тела быстрого восстановления для типологий мягкого переключения

  Идентификация:42А

  Напряжение тока Сток-источника:600 В

  RDSON-тип VGS=10В:64 мΩ

  Контакт
• 

  N-канальный суперсоединительный мосфет с быстрым диодом с низким рдсоном для питания переключателя

  Идентификация:43А

  Напряжение тока Сток-источника:650 В

  RDSON-тип VGS=10В:72 мΩ

  Контакт
• 

  650V SJ MOSFET Сверхнизкое сопротивление для систем промышленной автоматизации

  Применение:Электрические источники электричества для телекоммуникаций/серверов

  Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

  Тип:N

  Контакт
• 

  Устройства с дискретной мощностью для компактных люминесцентных ламп

  Производитель:Лингсунь

  Тип:N

  Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

  Контакт
• 

  Уровни высокого напряжения Super Junction MOSFET 650V TO-220F для питания

  Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии

  Тип прибора:Приборы силы дискретные

  Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

  Контакт
• 

  Большая маржа EMI суперсоединение MOSFET для высоких источников питания

  Применение:Электрические источники электричества для телекоммуникаций/серверов

  Тип прибора:Приборы силы дискретные

  Тип:N

  Контакт