Сверхсоединение MOSFET

Самые лучшие продукты

Солнечный инвертор супер соединение Мос высокой мощности охлаждающий Мосфет для зарядки груды

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET с диодом быстрого восстановления

N-канал сверхсоединения MOSFET поверхностный монтаж высокочастотный переключатель холодный MOS

Китай Сверхсоединение MOSFET

650В Смартфоны Нижний на сопротивление супер соединение Мосфета Для PFC

Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

Производитель:Лингсунь

Применение:Электрические источники электричества для телекоммуникаций/серверов
Дискретное устройство стабильной мощности с ультранизким сопротивлением и большой маржой EMI

Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии

Применение:Электрические источники электричества для телекоммуникаций/серверов

Тип:N
Дискретное телекоммуникационное питание устройств сверхсоединения MOSFET N типа

Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии

Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

Тип прибора:Приборы силы дискретные
Мосфет с суперсоединением типа N для телекоммуникационных / серверных источников питания

Тип:N

Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

Применение:Электроснабжение телекоммуникаций / серверов
Электронный передовой суперсоединительный MOSFET в бесперебойных источниках питания

Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии

Применение:Электрические источники электричества для телекоммуникаций/серверов

Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI
Электроснабжение телекоммуникаций / серверов Sj Mosfet Высокая производительность

Тип:N

Производитель:Лингсунь

Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии
7A 650V Большая ЭМИ-маржина N-канала MOSFET LC65R600F

Применение:Электрические источники электричества для телекоммуникаций/серверов

Производитель:Лингсунь

Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI
20A 650V Super Junction Mos для электроснабжения телекоммуникационных серверов

Высокий свет:100% Avalanche тестируется гораздо ниже RON*A производительность для эффективности на состоянии

Производитель:Лингсунь

Тип прибора:Приборы силы дискретные
Мощность Большая маржа EMI Супер Мосфет 100% Ланча испытана

Тип:N

Допустимый предел EMI:Большой допустимый предел EMI

Производитель:Лингсунь
4A 650V 880mΩ Мосфеты с низким сопротивлением на сверхсоединении

Идентификация:4а

Напряжение тока Сток-источника:650 В

RDSON-тип VGS=10В:880 мΩ
Si Super Junction MOSFET Высокоточный охлаждающий Мос 47A 600V 68mΩ

Идентификация:47А

Напряжение тока Сток-источника:600 В

RDSON-тип VGS=10В:68мΩ
20A 650V 150mΩ MOSFET с низким Ciss Super Junction для источников питания

Идентификация:20А

Напряжение тока Сток-источника:650 В

RDSON-тип VGS=10В:150mΩ

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Обзор категории：

Сверхсоединение MOSFET

Солнечный инвертор супер соединение Мос высокой мощности охлаждающий Мосфет для зарядки груды

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET с диодом быстрого восстановления

N-канал сверхсоединения MOSFET поверхностный монтаж высокочастотный переключатель холодный MOS

Китай Сверхсоединение MOSFET

650В Смартфоны Нижний на сопротивление супер соединение Мосфета Для PFC

Дискретное устройство стабильной мощности с ультранизким сопротивлением и большой маржой EMI

Дискретное телекоммуникационное питание устройств сверхсоединения MOSFET N типа

Мосфет с суперсоединением типа N для телекоммуникационных / серверных источников питания

Электронный передовой суперсоединительный MOSFET в бесперебойных источниках питания

Электроснабжение телекоммуникаций / серверов Sj Mosfet Высокая производительность

7A 650V Большая ЭМИ-маржина N-канала MOSFET LC65R600F

20A 650V Super Junction Mos для электроснабжения телекоммуникационных серверов

Мощность Большая маржа EMI Супер Мосфет 100% Ланча испытана

4A 650V 880mΩ Мосфеты с низким сопротивлением на сверхсоединении

Si Super Junction MOSFET Высокоточный охлаждающий Мос 47A 600V 68mΩ

20A 650V 150mΩ MOSFET с низким Ciss Super Junction для источников питания

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC