МОП-транзистор низкого напряжения

Самые лучшие продукты

Многоцелевой низковольтный питательный MOSFET TO-220C для бесперебойного питания

Многофункциональный низковольтный MOSFET для синхронной ректификации

50А 200В низкое напряжение Мосфета высокая эффективность

Китай МОП-транзистор низкого напряжения

Многофункциональный низковольтный MOSFET с высокой эффективностью для применения PWM

Эффективность:Высокая эффективность и надежность

преимущества:Улучшение эффективности системы

Потребление энергии:Потеря низкой мощности
Практический низко напряжение N канал MOSFET многофункциональные низко напряжение Rds

Неэтилированное состояние:ROHS

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Промышленный низковольтный канал MOSFET P для устройств на батареях

Неэтилированное состояние:ROHS

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

преимущества:Улучшение эффективности системы
SGT Мосфеты малой мощности с многофункциональной функцией с меньшим RSP

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

преимущества:Улучшение эффективности системы

Материал:Кремний
Хранение энергии Низкое напряжение MOSFET TO-220F N канал высокая EAS способность

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

преимущества:Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS
Многофункциональное низкое пороговое напряжение Mosfet TO-252 Быстрая зарядка

Материал:Кремний

преимущества:Улучшение эффективности системы

Потребление энергии:Потеря низкой мощности
LT40P04AD TO-252 Пакет низкомощный P-канал Мосфета для применения PWM

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
LG50N10AD TO-252 Низкое напряжение Мосфет Долговечная эффективность

Идентификация:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

VDSS:100 В

Пакет:TO-252
120A 85V TO-220F Пакет низкого напряжения Mosfet LG120N085AP

преимущества:Улучшение эффективности системы

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Пакет:TO-220C
LT50N06AU 60V N Channel MOSFET Low Rds ON для управления питанием

Неэтилированное состояние:ROHS

Материал:Кремний

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
LT140N04AG 140A 40V Силиконовый UPS Низкое напряжение Мосфет PDFN5060

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы

Пакет:PDFN5*6
LT80N06AF 60V 80A N канал низкого напряжения MOSFET для источников питания

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Материал:Кремний

преимущества:Улучшение эффективности системы

Page 2 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

Обзор категории：

МОП-транзистор низкого напряжения

Многоцелевой низковольтный питательный MOSFET TO-220C для бесперебойного питания

Многофункциональный низковольтный MOSFET для синхронной ректификации

50А 200В низкое напряжение Мосфета высокая эффективность

Китай МОП-транзистор низкого напряжения

Многофункциональный низковольтный MOSFET с высокой эффективностью для применения PWM

Практический низко напряжение N канал MOSFET многофункциональные низко напряжение Rds

Промышленный низковольтный канал MOSFET P для устройств на батареях

SGT Мосфеты малой мощности с многофункциональной функцией с меньшим RSP

Хранение энергии Низкое напряжение MOSFET TO-220F N канал высокая EAS способность

Многофункциональное низкое пороговое напряжение Mosfet TO-252 Быстрая зарядка

LT40P04AD TO-252 Пакет низкомощный P-канал Мосфета для применения PWM

LG50N10AD TO-252 Низкое напряжение Мосфет Долговечная эффективность

120A 85V TO-220F Пакет низкого напряжения Mosfet LG120N085AP

LT50N06AU 60V N Channel MOSFET Low Rds ON для управления питанием

LT140N04AG 140A 40V Силиконовый UPS Низкое напряжение Мосфет PDFN5060

LT80N06AF 60V 80A N канал низкого напряжения MOSFET для источников питания

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC