Китай МОП-транзистор низкого напряжения

Силиконовый низкий пороговый порог напряжения Мосфет Доступный

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы

Потребление энергии:Потеря низкой мощности
Силиконовые потери низкие RDS на Мосфете для потребления энергии в передовых приложениях

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы
Безопасный низковольтный Мосфет Высокая производительность и надежность

преимущества:Улучшение эффективности системы

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Неэтилированное состояние:ROHS
55В передовые траншеи низкого напряжения MOSFET транзисторы Защита батареи TO-220AB TO-220F

Материал:Кремний

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

Пакет:TO-220AB,TO-220F
Статус без свинца Выдерживать преходящие перенапряжения Низкое напряжение Мосфета Применение PWM

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы

Материал:Кремний
200 В низковольтный MOSFET для портативной электроники и телекоммуникационного оборудования

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Пакет:TO-252,TO-220AB,TO-220F

Материал:Кремний
Транзисторы с эффектом поля полупроводникового оксида металла для портативной электроники

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

преимущества:Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS
80V низковольтный MOSFET распределение питания и циклы зарядки батареи

Материал:Кремний

Пакет:PDFN5*6,TO-220AB,TO-220F

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
150 В низковольтный MOSFET для сенсорных интерфейсов автомобильной электроники

Материал:Кремний

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Пакет:TO-251,TO-220F
30В Поверхностная величина Низкое напряжение MOSFET Системы инфоразвлечений PDFN5060

Пакет:TO-251,TO-252,TO-220F

Материал:Кремний

Неэтилированное состояние:ROHS
60В низковольтные схемы управления MOSFET Trench Technology Высокая скорость переключения

Пакет:TO-251,TO-252

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Основные компоненты Низковольтный MOSFET Разнообразие электронных устройств и систем

Неэтилированное состояние:ROHS

Пакет:PDFN5*6,TO-220AB,TO-220F

Материал:Кремний

Page 4 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

МОП-транзистор низкого напряжения

Многоцелевой низковольтный питательный MOSFET TO-220C для бесперебойного питания

Многофункциональный низковольтный MOSFET для синхронной ректификации

50А 200В низкое напряжение Мосфета высокая эффективность

Китай МОП-транзистор низкого напряжения

Силиконовый низкий пороговый порог напряжения Мосфет Доступный

Силиконовые потери низкие RDS на Мосфете для потребления энергии в передовых приложениях

Безопасный низковольтный Мосфет Высокая производительность и надежность

55В передовые траншеи низкого напряжения MOSFET транзисторы Защита батареи TO-220AB TO-220F

Статус без свинца Выдерживать преходящие перенапряжения Низкое напряжение Мосфета Применение PWM

200 В низковольтный MOSFET для портативной электроники и телекоммуникационного оборудования

Транзисторы с эффектом поля полупроводникового оксида металла для портативной электроники

80V низковольтный MOSFET распределение питания и циклы зарядки батареи

150 В низковольтный MOSFET для сенсорных интерфейсов автомобильной электроники

30В Поверхностная величина Низкое напряжение MOSFET Системы инфоразвлечений PDFN5060

60В низковольтные схемы управления MOSFET Trench Technology Высокая скорость переключения

Основные компоненты Низковольтный MOSFET Разнообразие электронных устройств и систем

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC