Китай МОП-транзистор низкого напряжения

60V до 220C Низковольтный MOSFET хорошо подходит для современной электроники

Материал:Кремний

Пакет:TO-251,TO-220AB

преимущества:Улучшение эффективности системы
Улучшенная эффективность системы Гарантированные электронные схемы низкого напряжения MOSFET

преимущества:Улучшение эффективности системы

Пакет:TO-252,TO-220AB

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Электрические схемы с высокой плотностью интеграции с низким пороговым напряжением

Материал:Кремний

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Высокая скорость переключения низкое напряжение MOSFET многофункциональный TO-220AB PDFN5060

преимущества:Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS

Пакет:PDFN5*6,TO-220AB
Малый размер низкого напряжения MOSFET для кондиционирования сигнала TO-263C

Материал:Кремний

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

Пакет:PDFN5*6,TO-252
Тепловая устойчивость Низкое напряжение MOSFET для повышения эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы

Материал:Кремний
Низкие RDS на сопротивление Низкое напряжение MOSFET для преобразования DC-DC

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Пакет:TO-252,TO-220AB,TO-220F

Неэтилированное состояние:ROHS
Важные компоненты низковольтного MOSFET в преобразователях и регуляторах постоянного тока

преимущества:Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS

Потребление энергии:Потеря низкой мощности
Сверхнизкое сопротивление SGT низковольтный MOSFET для переключателя нагрузки

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Пакет:TO-252,TO-220AB

преимущества:Улучшение эффективности системы
Надежная и прочная низковольтная MOSFET использует передовую технологию траншей

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

преимущества:Улучшение эффективности системы

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
40В передовая технология траншеи низкое напряжение MOSFET для циклов зарядки батареи

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

преимущества:Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS
Поверхностное количество 40В низковольтный MOSFET для цифровых логических схем

Материал:Кремний

преимущества:Улучшение эффективности системы

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

Page 5 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

МОП-транзистор низкого напряжения

Многоцелевой низковольтный питательный MOSFET TO-220C для бесперебойного питания

Многофункциональный низковольтный MOSFET для синхронной ректификации

50А 200В низкое напряжение Мосфета высокая эффективность

Китай МОП-транзистор низкого напряжения

60V до 220C Низковольтный MOSFET хорошо подходит для современной электроники

Улучшенная эффективность системы Гарантированные электронные схемы низкого напряжения MOSFET

Электрические схемы с высокой плотностью интеграции с низким пороговым напряжением

Высокая скорость переключения низкое напряжение MOSFET многофункциональный TO-220AB PDFN5060

Малый размер низкого напряжения MOSFET для кондиционирования сигнала TO-263C

Тепловая устойчивость Низкое напряжение MOSFET для повышения эффективности системы

Низкие RDS на сопротивление Низкое напряжение MOSFET для преобразования DC-DC

Важные компоненты низковольтного MOSFET в преобразователях и регуляторах постоянного тока

Сверхнизкое сопротивление SGT низковольтный MOSFET для переключателя нагрузки

Надежная и прочная низковольтная MOSFET использует передовую технологию траншей

40В передовая технология траншеи низкое напряжение MOSFET для циклов зарядки батареи

Поверхностное количество 40В низковольтный MOSFET для цифровых логических схем

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC