Китай МОП-транзистор низкого напряжения

160A 60V Advanced Trench Low Voltage MOSFET TO-220F для переключателя нагрузки

Материал:Кремний

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

преимущества:Улучшение эффективности системы
TO-220C LT50N06AP Низкое пороговое напряжение Mosfet N канал

Пакет:TO-220C

Неэтилированное состояние:ROHS

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
50A 100V низкое напряжение входа Mosfet LG50N10AP

Идентификация:50А

VDSS:100 В

Пакет:TO-220C
LG80N10AF 100V TO-220F MOSFET низкого напряжения для защиты батареи

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

преимущества:Улучшение эффективности системы

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
15А 100В TO-252 Пакет низковольтного Мосфета для электронного проектирования

Идентификация:15А

VDSS:100 В

RDSON-typ (@VGS=10V):86мΩ
Усовершенствованная технология траншеи Мод повышения мощности Мосфет N канал для управления мощностью

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Неэтилированное состояние:ROHS

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Многофункциональный низковольтный MOSFET с высокой эффективностью для водителя

Потребление энергии:Потеря низкой мощности

Материал:Кремний

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Низкое напряжение MOSFET для электронных схем Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS

преимущества:Улучшение эффективности системы

Пакет:PDFN5*6,TO-220F
110A55V Кремниевый низкомощный MOSFET TO-220AB для цифровых логических схем

преимущества:Улучшение эффективности системы

Неэтилированное состояние:ROHS

Материал:Кремний
110А 55В Силиконовый низкий пороговый напряжение Мосфет TO-263 пакет

Неэтилированное состояние:ROHS

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

Пакет:TO-263
Эффективный TO-220AB Низкий Vgs Mosfet Улучшенная эффективность системы

Неэтилированное состояние:ROHS

Сопротивление:Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)

Потребление энергии:Потеря низкой мощности
Надежная производительность низковольтные электронные схемы Mosfet

Неэтилированное состояние:ROHS

Пакет:TO-252

преимущества:Улучшение эффективности системы

Page 3 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

МОП-транзистор низкого напряжения

Многоцелевой низковольтный питательный MOSFET TO-220C для бесперебойного питания

Многофункциональный низковольтный MOSFET для синхронной ректификации

50А 200В низкое напряжение Мосфета высокая эффективность

Китай МОП-транзистор низкого напряжения

160A 60V Advanced Trench Low Voltage MOSFET TO-220F для переключателя нагрузки

TO-220C LT50N06AP Низкое пороговое напряжение Mosfet N канал

50A 100V низкое напряжение входа Mosfet LG50N10AP

LG80N10AF 100V TO-220F MOSFET низкого напряжения для защиты батареи

15А 100В TO-252 Пакет низковольтного Мосфета для электронного проектирования

Усовершенствованная технология траншеи Мод повышения мощности Мосфет N канал для управления мощностью

Многофункциональный низковольтный MOSFET с высокой эффективностью для водителя

Низкое напряжение MOSFET для электронных схем Улучшение эффективности системы

110A55V Кремниевый низкомощный MOSFET TO-220AB для цифровых логических схем

110А 55В Силиконовый низкий пороговый напряжение Мосфет TO-263 пакет

Эффективный TO-220AB Низкий Vgs Mosfet Улучшенная эффективность системы

Надежная производительность низковольтные электронные схемы Mosfet

Силиконовый карбид SBD

Силовые диоды-барьеры из карбида кремния для электрической печи

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Промышленный карбид кремния SBD многоцелевой для сварочной машины

Инвертор IGBT

15A 1200V инвертор IGBT короткое замыкание выдерживает время 10μS для водителя

Надежный и прочный инвертор IGBT режим усиления N канал

Зарядное устройство IGBT многоцелевой транзистор для применения OBC